供更强的计算和处理能力，降低功耗和热量的产生，提高电池续航时间和设备的可靠性等等
七纳米及以下的芯片在设计材料、工艺等各方面都有巨大的改变
比如在芯片的水平阵列中采用环栅纳米线，在7纳米这个节点时，就不可避免要采用隧道FEt和III-V族元素沟道材料和垂直纳米线来完善
而7纳米以上的工艺则不需要这些
起来，芯片的发展和设计制造，其实就像是一栋楼的楼梯
从高层逐渐往下走，每下降一点就走下一个台阶，就意味着解决一个问题
而到了28纳米、14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这些楼层，就意味着你到了对应楼层的转折处
能支撑你往下继续走的，不仅仅是某一个问题的解决，而是某一系列，甚至更多的问题解决
光源、材料、EdA、设计等等各方面，全都要突破才能继续往下沉
比如光源，不同的光波长不同，能够进行曝光尺度也不同，而在芯片领域，随着微电子制造工艺的不断进步，芯片晶体管的尺寸越来越，对器件结构的要求越来越高，就需要更高分辨率和更精细的曝光图案
稍微关注一点这块的人，目前市面上的光刻机大体上分为dUV和
dUV是目前比较成熟的方案，现阶段最高采用193nm波长的深紫外光源，被广泛应用在7nm以及7nm以前的工艺里
而伴随着工艺的继续微缩，dUV已经力不从心，就需要使用极紫外光光源的EUV设备了
所以徐川才对这位丁蔀长所的7纳米这么惊讶
因为按照他的了解，老实这的确不是华国现在就做出来聊东西
虽然丁经国还有难题未突破，但能这么，那就肯定只差最后一点点了
徐川惊讶的是，国家这些年暗地里瞒着米国等西方国家搞了不少的动作啊
不愧是兔子，狡兔三窟，犹有过之
丁经国笑了笑，道：“起来，这还得多感谢徐院士您”
“我？”徐川好奇的看了他一眼
丁经国点零头，笑着道：“您可能不怎么关心这方面东西，但国家会永远铭记您对祖国的贡献”
“在18年的时候，您带领团队完成了《核能β辐射能聚集转换电能机制项目》，利用这项技术，我们从别的国家手中交易到了一些原本处于禁售或者不出售的科技，以及设备”
“在这些东西中，有一部分是和芯片的发展有关系的，它直接的促进了咱们国家芯片的发展，加快了速度”
“而随着可控核聚变技术的解决，国家有了更充足的资金来投入其他领域，种种因素加起来，才有了今的结果”
“当然，这些东西目前都还是国家保密级别的信息，还请徐院士别传出去毕竟一旦被其他国家知道我们在芯片方面有了突破，肯定又会有一些