第843章 投(6k)
“方总，方总，绝缘体上硅是在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅”
“它相较于现在的导电型的硅衬底，是三层结构，第一层硅衬底层，可以提供机械支撑，第二层是二氧化硅层，形成一层绝缘结构，第三层是单晶硅顶层，可以进行电路的刻蚀，形成驱动IC的工作层”
“方总，绝缘体上硅能让我们的65nm工艺晶圆变得更加紧凑，切割率能提升25%！”
“而且，这种工艺的芯片能降低3成功耗，工作频率的提升最少在20%，整体成本也能降低10%！”
方卓坐在酒店套房的书桌边，一边听着梁孟淞越洋电话的絮叨，一边认真记录关键数据，切割+25%，功耗-30%，效率+20%，成本-10%
至于梁博士对工艺进行的阐述，也不难嘛，不就这这那那再那那这这
方卓的眼神逐渐迷离，但又不好意思打断试图教会自己的梁孟淞
冰芯65nm量产的视察十分成功，除了超出规模的厂商代表和高校师生不知道有没有招待不周，远道而来和本地省市的领导都十分高兴
这份高兴传递到同是制程功臣却不宜显露姓名的梁孟淞那里，他也很高兴，还兴奋的聊起了冰芯可以进步的地方
同一制程，不同厂商做出来的晶圆不尽相同
这也是为什么台记这种是大客户最优先的选择，因为，它的研发投入和技术沉淀都相当雄厚
“方总，冰芯在工艺上还大有可为，绝缘体上硅是SOI，从上世纪的64年提出，但FD-SOI，也就是全耗尽绝缘体上硅……”梁孟淞笑了一声，“这是胡教授在2000年提出来的，我们在研发上有优势，传统的体硅BulkCMOS工艺在20nm会走到尽头”
他吸了一口气，说出让自己兴奋的通话目的：“方总，投，放心大胆的投！这个技术路线绝对不会错！世界最上最懂FD-SOI的就是胡教授，最懂FinFET的就是胡教授，这两个工艺到7nm工艺节点时，SOI会从2D发展到3D，可以作为SOIFinFET工艺！可谓殊途同归！”
“方总，投，现在就可以投！”
梁孟松语速极快，兴奋之情溢于通话
所以……
上天是公平的
从来都是自己和别人这样说，没想到今天也被如此催促
方卓听到来自梁博士的话，心里涌现出一种强烈的情绪，投，投，投特么的！
他没有太迷糊，他是理解的！
这就相当于给制程加上一层增益buff，降低成本，减少功耗，提高产量，增加效率
最关键的是，这样的增益不是临时的，可以持续到更高的制程阶段
“研发投入一定是要重视的，这个事我知道了，我认为邱总和胡教授也会同意的”方