立地发明了这种器件,刚开始各公司对其称谓也不同
随着时间的流逝,IGBT的技术也日渐成熟,一些新的制造工艺(DMOS)被采用,各种不同的结构,被各厂家进行试探,并有所成就
时间走入90年代的时候,随着大规模集成电路工艺的逐步成熟,有一些半导体生产中采用的工艺,很快就会被IGBT研究人员引入
硅芯片的垂直结构(3D),给IGBT的设计,带来了巨大的改变
在90年代中期,IGBT的结构,先后出现了多次技术突破
其中比较有名的有,NPT-IGBT(穿透式),LPT-IGBT(弱穿透),这一波里,最重要的技术是至此第五代IGBGT才算正式成熟
这个技术方向,成永兴盯了很久了,因为它的经济价值非常大,甚至不弱于LED,但一直苦于没有人手
随着时间的流逝,这些技术面世的窗口,也在慢慢关闭
所以,冯言一回来,就被他立刻抓了差