N的不到10人tk2。org
为了解决GaN的合成问题,剩余的这十名科学家,分别开始了独自的尝试tk2。org
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赤崎教授,选择了晶体结构和GaN接近,但是晶格常数失配的蓝宝石作为衬底材料,进行GaN的异质外延(生长)tk2。org
由于晶格失配,GaN外延层和蓝宝石衬底之间存在失配应力,应力的释放会导致GaN内部产生大量缺陷tk2。org这样的材料无法应用于器件tk2。org
但这个问题,在1985年,被赤崎教授的弟子,天野浩解决,这就是著名的两步法tk2。org
步骤是,在蓝宝石衬底上先生长一层AlN缓冲层,再将温度升高生长GaNtk2。org
由于缓冲层释放了GaN和蓝宝石之间的失配应力,这种“两步法”生长技术使得GaN的晶体质量显著改善,满足了器件制作的基本要求tk2。org
这个方法的发现,差不多历时前后5年,师生两个人接力,才算搞定tk2。org
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按理说,一般的科学研究工作者,进行某项研究的思路,都是踏着前人留下的足迹前进tk2。org尤其是没有达到终点之前tk2。org
因为改变前人,甚至推翻前人的工作,完全是得不偿失tk2。org
例如两步法的发现,就用时差不多四五年时间tk2。org换个人来研究,是不是也要准备个几年时间?
这怎么选择,不是一目了然嘛!
但大侠就是大侠,中村拿到这个论文后,不是继续往下研究,而是放飞自我tk2。org
他决定试试在缓冲层中采用GaN而非AlN的方法tk2。org
具体思路是在低温生长的非结晶状态的GaN膜之上,在高温条件下生长出GaN单晶膜tk2。org只要这个取得成功,就可以制出与在底板上直接生长单晶GaN膜相同的构造tk2。org
按照这个思路,中村进行了尝试tk2。org
结果嘛,一次成功!
这种方法的核心,是采用了低温GaN缓冲层(500℃左右)替代了AlN缓冲层tk2。org这一基于低温GaN缓冲层的“两步法”工艺,成为日后工业界生长GaN基LED的标准工艺tk2。org
当然了,做出这步改良的理由,也是异常奇怪tk2。org中村给出的解释居然是,别人用过的方法,我不用!
这种“二”的说话方式,成永兴也用过!
不就是强词夺理嘛!
谁不会啊!
你有种!
别人对的方法,你也别用!
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第四关,退火工艺tk2。org
LED从本质上说是一个二极管,二极管的核心