N的不到10人tk2。org
为了解决GaN的合成问题，剩余的这十名科学家，分别开始了独自的尝试tk2。org
—————————
赤崎教授，选择了晶体结构和GaN接近，但是晶格常数失配的蓝宝石作为衬底材料，进行GaN的异质外延(生长)tk2。org
由于晶格失配，GaN外延层和蓝宝石衬底之间存在失配应力，应力的释放会导致GaN内部产生大量缺陷tk2。org这样的材料无法应用于器件tk2。org
但这个问题，在1985年，被赤崎教授的弟子，天野浩解决，这就是著名的两步法tk2。org
步骤是，在蓝宝石衬底上先生长一层AlN缓冲层，再将温度升高生长GaNtk2。org
由于缓冲层释放了GaN和蓝宝石之间的失配应力，这种“两步法”生长技术使得GaN的晶体质量显著改善，满足了器件制作的基本要求tk2。org
这个方法的发现，差不多历时前后5年，师生两个人接力，才算搞定tk2。org
—————————
按理说，一般的科学研究工作者，进行某项研究的思路，都是踏着前人留下的足迹前进tk2。org尤其是没有达到终点之前tk2。org
因为改变前人，甚至推翻前人的工作，完全是得不偿失tk2。org
例如两步法的发现，就用时差不多四五年时间tk2。org换个人来研究，是不是也要准备个几年时间？
这怎么选择，不是一目了然嘛！
但大侠就是大侠，中村拿到这个论文后，不是继续往下研究，而是放飞自我tk2。org
他决定试试在缓冲层中采用GaN而非AlN的方法tk2。org
具体思路是在低温生长的非结晶状态的GaN膜之上，在高温条件下生长出GaN单晶膜tk2。org只要这个取得成功，就可以制出与在底板上直接生长单晶GaN膜相同的构造tk2。org
按照这个思路，中村进行了尝试tk2。org
结果嘛，一次成功！
这种方法的核心，是采用了低温GaN缓冲层(500℃左右)替代了AlN缓冲层tk2。org这一基于低温GaN缓冲层的“两步法”工艺，成为日后工业界生长GaN基LED的标准工艺tk2。org
当然了，做出这步改良的理由，也是异常奇怪tk2。org中村给出的解释居然是，别人用过的方法，我不用！
这种“二”的说话方式，成永兴也用过！
不就是强词夺理嘛！
谁不会啊！
你有种！
别人对的方法，你也别用！
—————————
第四关，退火工艺tk2。org
LED从本质上说是一个二极管，二极管的核心