结构是半导体p-n结tk2。orgp-n结是由n型半导体(内部含有大量自由电子)和p型半导体(内部含有大量带正电的自由载流子——空穴)组成的界面tk2。org
对GaN而言，n型掺杂比较容易实现，但p型掺杂却十分困难tk2。org在GaN中经常使用的p型掺杂剂是Zn或者Mg，但是掺入这些杂质后，GaN往往仍体现高阻特性，这意味着p型掺杂剂并没有被激活，没有起作用tk2。org
这个问题曾困惑了科学界很久，最后也是被天野浩解决的tk2。org解决方法是用低能电子束辐照方法来获得p-GaNtk2。org
这个方法的发现，天野浩也是耗时很久tk2。org他从86年起就一直在尝试，直到89年，才突然碰运气得到tk2。org
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在这个步骤上，中村大侠的“二”病再此发作！
他再次推翻了前面科学家的研究成果，改为加热！
这也就是所谓退火工艺的由来tk2。org
根据中村自己的解释，他是在非常偶然情况下，得到了这个意外结果tk2。org
在重复电子束照射实验前，他不小心把工作台给加热了！于是，他就发现，在电子束辐照过程中，在样品下面加热可以获得更好的结果tk2。org
对此现象，他又继续研究，进而确认，仅仅依靠加热就可以获得p-GaNtk2。org而退火工艺的原理，中村大侠并没有给出合理的解释tk2。org
从此，热退火就成为了制作蓝光LED的标准工艺，沿用至今tk2。org
当然了，事情是否真偶然，谁也不知道tk2。org
讲故事谁不会？
退火工艺的背后原理，在很久以后才被人揭示tk2。org
p-GaN中的Mg会被MOCVD外延过程中引入的H钝化，形成Mg-H络合物tk2。org无论是低能电子辐照还是热退火，都是通过借助外部能量破坏Mg-H键而激活Mg杂质tk2。org
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这两个工艺步骤的实现，足以说明中村的逆天运气！
前人耗时五六年的成果，他在很短的时间内，全部推翻，而且找到了更好的方式！
而他发现的这些工艺步骤，即使在三十年后，也无人能改！
有没有这么一种可能：
这些工艺，之所以无人能改，因为它们实际就是三十年后的成熟工艺！但被提前拿到了1990年！