第479章 真假1微米（2）
半导体加工工艺，本质上就是一个在硅晶圆上，不断曝光，蚀刻的过程
而这个工艺的提升的过程，就是曝光时所用的底片图案，不断进行增密的一个过程
在大家的传统印象里，底片的增密，就是底片精度的提高过程增密底片图案，除了提高光刻机精度，就没有别的办法了吗？
在我们的日常生活当中，有个不恰当的例子，那就是套色印刷(或者是彩色打印）
三色墨水，每个打印的精度都是相同的，但是三色重合打印，单色就变成了彩色！
颜色的精度，就从单色的8位，上升到了256位！
在2005年之后，由于工艺制程的提升，最小可分辨特征尺寸（MRF）已经远远小于光源波长，利用DUV光刻机已经无法一次刻蚀成型
既然无法一次刻蚀成型，那就多刻蚀几次，每一次刻蚀一部分，然后拼凑成最终图案
从每个部分图形的加工过程来说，用的都是原有的加工方法和设备，但它可以实现更高精度的芯片加工
它就是《多重图案化技术》！
《多重图案法》就是将一个图形，分离成两个或者三个部分每个部分按照通常的制程方法进行制作整个图形最后再合并形成最终的图层
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按照这个理论，图形精度简直可以无限分割下去
但实际上，这个方案也有它的局限
光刻机，做到了极限，是因为光波波长的缘故
图案分割，做到最后，也会有这个问题
当光罩上图形线宽尺寸接近光源波长时，衍射将会十分明显
光刻机内部光路对于光线的俘获能力是有限的，如果没有足够的能量到达光刻胶上，光刻胶将无法充分反应，使得其尺寸和厚度不能达到要求
在后续的显影、刻蚀工艺中起不到应有的作用，导致工艺的失败
所以用这个方法，步进到7nm，就做不下去了因为从原理上就出现了问题
7nm之后，必须使用EUV（深紫）光刻机，那个对中国禁运的光刻机，就是这个道理
在这个阶段（1微米），它还不是个问题阻碍晶圆工艺进步的主要原因，来自生产设备，工艺，而不是原理
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任何事情都有利有弊
这种技术的优点非常突出那就是不需改变现有设备，或者是做很少的改变，就可以达到提高晶圆工艺的要求
但弊端也很突出
第一个弊端，麻烦
这个技术的思想雏形，第一次出现在130nm阶段，第一次完整出现，则是在30nm阶段
为什么出现得这么晚？
每道图层，都要进行分解，想想就麻烦得很啊这个方法，完全是没有办法的办法
换个高精度的光刻机及其配套工艺，一下子不就解决了嘛！这也是在30nm之前，基本上无